SGT105R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT105R70ILB
SGT105R70ILB

Fab. :

Description :
FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Modèle de ECAO:
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En stock: 695

Stock:
695 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
5,63 € 5,63 €
4,38 € 43,80 €
3,31 € 331,00 €
3,20 € 1 600,00 €
2,53 € 2 530,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,14 € 6 420,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
21.7 A
105 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
4.8 nC
- 55 C
+ 150 C
158 W
Enhancement
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: FET
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 9 ns
Série: SGT
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type: PowerGaN Transistor
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99