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SGT190R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT190R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT190R70ILB
Price: 3.4 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SGT190R70ILB

N° de fab. :

SGT190R70ILB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT190R70ILB Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,40 €	3,40 €
	2,37 €	23,70 €
	1,78 €	178,00 €
	1,58 €	790,00 €
	1,56 €	1 560,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,32 €	3 960,00 €
	1,31 €	11 790,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	11.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	190 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	2.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	1.7 ns
Délai d'activation standard:	1.4 ns