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QPD1015

Name: Qorvo QPD1015
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1015
Price: 332.75 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

772-QPD1015

N° de fab. :

QPD1015

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

Fiche technique:

QPD1015 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	332,75 €	332,75 €
	255,12 €	6 378,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-360
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	50 V
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	64 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Kit de développement:	QPD1015PCB401
Gain:	20 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.7 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	70 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1015
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	145 V