EPC2102

EPC
65-EPC2102
EPC2102

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 2500   Multiples : 500
Prix unitaire:
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Tarif est.:
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Prix (EUR)

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4,73 € 11 825,00 €

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EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-75
N-Channel
2 Channel
60 V
30 A
4.9 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
8 nC, 11 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 2 N-Channel
Type: Half Bridge
Poids de l''unité: 23 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8541290040

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