EPC2103

Name: EPC EPC2103
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2103
Price: 9.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

65-EPC2103

N° de fab. :

EPC2103

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

EPC2103 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	6.5 nC, 6.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Marque:	EPC
Configuration:	Dual
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	2 N-Channel
Type:	Half-Bridge
Poids de l''unité:	23 mg

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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