EPC2104

EPC
65-EPC2104
EPC2104

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 2500   Multiples : 500
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Tarif est.:
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Prix (EUR)

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
Die
2 Channel
100 V
30 A
6.8 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.8 nC, 6.8 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Conditionnement: Reel
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 2 N-Channel
Type: Half-Bridge
Poids de l''unité: 23 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
USHTS:
8541290040
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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