EPC2110

EPC
65-EPC2110
EPC2110

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 12500   Multiples : 2500
Prix unitaire:
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Tarif est.:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA
N - Channel
2 Channel
120 V
3.4 A
110 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
0.8 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 2 N-Channel
Poids de l''unité: 3 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8541290040

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