EPC2203

Name: EPC EPC2203
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2203
Price: 1.26 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

65-EPC2203

N° de fab. :

EPC2203

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

EPC2203 Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,26 €	1,26 €
	0,80 €	8,00 €
	0,531 €	53,10 €
	0,417 €	208,50 €
	0,38 €	380,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,339 €	847,50 €
	0,308 €	1 540,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	BGA-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	1.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, 5.75 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	670 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Marque:	EPC
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	1,400 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
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