EPC2252

EPC
65-EPC2252
EPC2252

Fab. :

Description :
FET GaN eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 12 094

Stock:
12 094 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,22 € 2,22 €
1,44 € 14,40 €
0,989 € 98,90 €
0,791 € 395,50 €
0,757 € 757,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,671 € 1 677,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-9
N-Channel
1 Channel
80 V
8.2 A
11 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 3 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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