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EPC2304

Name: EPC EPC2304
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2304
Price: 7.78 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

65-EPC2304

N° de fab. :

EPC2304

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

EPC2304 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,78 €	7,78 €
	5,31 €	53,10 €
	3,91 €	391,00 €
	3,89 €	1 945,00 €
	3,59 €	3 590,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,30 €	9 900,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	FCQFN-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	133 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	21 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Marque:	EPC
Configuration:	Single
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	31,500 mg

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Fiche technique

EPC2304 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN^® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance R_DS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (Q_G) and zero reverse recovery (Q_RR) losses. This 200V_DS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.