EPC2307

Name: EPC EPC2307
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2307
Price: 4.69 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

65-EPC2307

N° de fab. :

EPC2307

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

EPC2307 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 4 918

Stock:: 4 918

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 15 000
Délai usine :: 18

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,69 €	4,69 €
	3,11 €	31,10 €
	2,23 €	223,00 €
	1,98 €	990,00 €
	1,91 €	1 910,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,68 €	5 040,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	10 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	10.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Marque:	EPC
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	30,300 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

EPC2307 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

EPC

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Voir tous les nouveaux produits de EPC

Une erreur inattendue est survenue.

Avez-vous une question ? Veuillez consulter le centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande spécifique, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d’autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou nous envoyer un e-mail à help@mouser.com.

EPC2307

Fab. : EPC

Description : FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

En stock: 4 918

Prix (EUR)

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Conformité des produits

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS EPC

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

PRODUITS PRÉSENTÉS

EPC