EPC8002

EPC
65-EPC8002
EPC8002

Fab. :

Description :
FET GaN EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 12500   Multiples : 2500
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
1,38 € 17 250,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
EPC
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-6
N-Channel
1 Channel
65 V
2 A
480 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
133 pC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marque: EPC
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Conditionnement: Reel
Produit: Power Transistor
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 3,100 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8541290040

Une erreur inattendue est survenue.


Avez-vous une question ? Veuillez consulter le centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande spécifique, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d’autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou nous envoyer un e-mail à help@mouser.com.