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IXA45IF1200HB

Name: IXYS IXA45IF1200HB
Brand: IXYS
SKU: 747-IXA45IF1200HB
Price: 16.22 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXA45IF1200HB

N° de fab. :

IXA45IF1200HB

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IXA45IF1200HB Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.8 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	78 A
Pd - Dissipation d’énergie :	325 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	IXA45IF1200HB
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	45 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	500 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	XPT
Poids de l''unité:	38 g

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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