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IXBT10N170

Name: IXYS IXBT10N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBT10N170
Price: 13.18 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXBT10N170

N° de fab. :

IXBT10N170

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds

Fiche technique:

IXBT10N170 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.7 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	3.4 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	20 A
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXBT10N170
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	40 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	BIMOSFET
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

IXBT10N170 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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