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IXBT42N170

Name: IXYS IXBT42N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBT42N170
Price: 31.15 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXBT42N170

N° de fab. :

IXBT42N170

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs BIMOSFET 1700V 75A

Fiche technique:

IXBT42N170 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	31,15 €	31,15 €
	23,91 €	239,10 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.7 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.8 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	360 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXBT42N170
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	75 A
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	BIMOSFET
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

IXBT42N170 Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

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