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IXDN75N120

Name: IXYS IXDN75N120
Brand: IXYS
SKU: 747-IXDN75N120
Price: 46.1 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXDN75N120

N° de fab. :

IXDN75N120

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 75 Amps 1200V

Fiche technique:

IXDN75N120 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	46,10 €	46,10 €
	34,01 €	340,10 €
	33,25 €	3 325,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	SOT-227B-4
Style de montage:	Screw Mount
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.2 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	150 A
Pd - Dissipation d’énergie :	660 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXDN75N120
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	150 A
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXDN75N120 Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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