Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXDR30N120

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXDR30N120

N° de fab. :

IXDR30N120

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 30 Amps 1200V

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IXDR30N120 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

Stock:: Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	ISOPLUS247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.4 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXDR30N120
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	60 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	500 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	ISOPLUS
Poids de l''unité:	5,300 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXDR30N120 Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

IXYS

Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IGBT à tranchée XPT™ GenX5™

IGBT à tranchée de 5e génération avec des zones de fonctionnement sécurisées à polarisation inversée carrées et une tension de claquage de 650 V.

IGBT haute tension IXGA20N250HV

RBSOA carrée, capacité court-circuit 10 µs, caractéristiques 2500 V V_CES, 12 A I_C110, et 3,1 V V_CE(sat).

IGBT BiMOSFET™ à conduite inversée IXBx14N300HV

Composants de 3000 V, 14 A combinant les forces des MOSFET et des IGBT.

IGBT à tranchée IXYx110N120A4 1 200 V XPT™ GenX4™

Offrent une V_sat ultra-faible conçue pour commuter jusqu'à 5 kHz.