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IXSA60N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA60N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA60N65L2-7TR
Price: 9.34 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXSA60N65L2-7TR

N° de fab. :

IXSA60N65L2-7TR

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSA60N65L2-7TR Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,34 €	9,34 €
	6,60 €	66,00 €
	5,50 €	550,00 €
	4,91 €	2 455,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	4,58 €	3 664,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	53 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	94.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	249 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	8.8 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	15.6 ns
Série:	IXSxNxL2Kx
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	18.5 ns
Délai d'activation standard:	7.6 ns

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (I_D) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (V_DSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).