IXSG110N65L2K

IXYS
747-IXSG110N65L2K
IXSG110N65L2K

Fab. :

Description :
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

Cycle de vie:
Nouveau produit:
Nouveau chez ce fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 2 090

Stock:
2 090 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
27 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
11,27 € 11,27 €
8,40 € 84,00 €
7,00 € 700,00 €
6,24 € 3 120,00 €
6,23 € 6 230,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
5,82 € 11 640,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
1 Channel
650 V
111 A
33 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
600 W
Enhancement
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 11.5 ns
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 23.4 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 35.1 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (ID) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (VDSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).