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IXSH100N65L2KHV

Name: IXYS IXSH100N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH100N65L2KHV
Price: 11.54 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXSH100N65L2KHV

N° de fab. :

IXSH100N65L2KHV

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSH100N65L2KHV Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,54 €	11,54 €
	8,60 €	86,00 €
	7,17 €	717,00 €
	6,38 €	2 871,00 €
	5,96 €	5 364,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	99 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	125 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	454 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	11.7 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	26.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	23.2 ns
Délai d'activation standard:	12.9 ns

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Fiche technique

IXSH100N65L2KHV Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (I_D) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (V_DSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).