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IXSH65N120L2KHV

Name: IXYS IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH65N120L2KHV
Price: 10.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXSH65N120L2KHV

N° de fab. :

IXSH65N120L2KHV

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSH65N120L2KHV Fiche technique (PDF)

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	5,58 €	2 511,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	65 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	110 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	10.5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	22.1 ns
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19.3 ns
Délai d'activation standard:	9.6 ns

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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