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IXYA55N65B5

Name: IXYS IXYA55N65B5
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYA55N65B5
Price: 5.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXYA55N65B5

N° de fab. :

IXYA55N65B5

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IXYA55N65B5 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-263-2L
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.3 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	122 A
Pd - Dissipation d’énergie :	395 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trench
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	122 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	XPT

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Fiche technique

IXYA55N65B5 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT XPT Gen5

IXYS Gen5 XPT IGBTs offer a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge. These transistors feature a low thermal resistance that simplifies thermal-related design issues. Gen5 IGBTs are available in three classes. Class A transistors are for low-speed devices and optimized for applications that require switching frequencies in the 0 to 5kHz range, while Class B transistors are for medium-speed devices and optimized for applications that require a frequency range of 5kHz to 30kHz. Finally, the Class C transistors are designed for high-speed devices and are suitable for applications requiring switching frequencies in the range of 20kHz to 60kHz. Applications for IXYS Gen5 XPT IGBTs include power inverters, PFC circuits, lamp ballasts, battery chargers, and welding machines.

Alimentation CA-CC

L'alimentation CA-CC de Littelfuse est un bloc de construction couramment utilisé dans les conceptions électroniques. Les composants de ces blocs de construction d'alimentation doivent être fiables et durables, et Littelfuse propose une gamme de produits qui répondent à ces exigences. Ce portefeuille de composants couvre la protection contre les surintensités et les surtensions, l'étage de puissance et la protection des sorties. Les applications typiques pour les produits d'alimentation CC/CA de Littelfuse comprennent l'automobile, le solaire, l'industrie, la fabrication et plus encore.

IGBT à tranchée 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™

Les IGBT à tranchée IXYS 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™ sont développées à l'aide d'une technologie propriétaire à plaquette mince XPT et d'un processus de 4e génération (GenX4™) de tranchée IGBT à la pointe de la technologie. Ces transistors bipolaires à portes isolées présentent une résistance thermique réduite, de faibles pertes énergie, une commutation rapide, un faible courant résiduel et de hautes densités de courant. Ces composants présentent une robustesse exceptionnelle pendant la commutation et en cas de court-circuit.

IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™

Les IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ d'IXYS sont des IGBT à tranchée de 4e génération dotés de la technologie XPT à couche mince. Ces transistors IGBT à V_SAT ultra-faibles prennent en charge des fréquences de commutation atteignant 5 kHz et sont optimisés pour de faibles pertes de conduction. Les IGBT IXYxN120A offrent des avantages tels qu'une densité de puissance élevée, de faibles exigences de commande de grille, et ont une température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C. Ces transistors sont délivrés dans des boîtiers TO-247 et TO-269HV, chacun ayant une tension de 1 200 V et un courant de 55 A ou 85 A. Les IGBT IXYxN120A sont utilisés dans des applications telles que les onduleurs de puissance, les commandes de moteurs, les circuits PFC, les chargeurs de batteries, les machines de soudage, les ballasts de lampes et les circuits de protection du courant d'appel.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.