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IXYN120N65C3D1

Name: IXYS IXYN120N65C3D1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYN120N65C3D1
Price: 42.76 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXYN120N65C3D1

N° de fab. :

IXYN120N65C3D1

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini

Fiche technique:

IXYN120N65C3D1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	36,34 €	363,40 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
Technologie:	Si
Package/Boîte:	SOT-227B-4
Style de montage:	Screw Mount
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.3 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	190 A
Pd - Dissipation d’énergie :	830 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	620 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

IXYN120N65C3D1 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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