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IXYP30N65C3

Name: IXYS IXYP30N65C3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYP30N65C3
Price: 2.37 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXYP30N65C3

N° de fab. :

IXYP30N65C3

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs TO220 650V 30A XPT

Fiche technique:

IXYP30N65C3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.35 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	270 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	118 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

IXYP30N65C3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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