LSIC1MO170E0750

IXYS
576-LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750

Fab. :

Description :
SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
6.2 A
1 Ohms
- 5 V, + 20 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
Marque: IXYS
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Série: LSIC1MO
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Systèmes de drones commerciaux et tactiques

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Systèmes de drones militaires hybrides /à propulsion thermique

Les systèmes de drones à propulsion thermique/hybrides militaires de Littelfuse offrent des solutions de conversion d'énergie et de bus CC, de distribution d'électricité et d'alimentation électrique de chargeurs/de mise à la terre. Ces systèmes prennent en charge la conversion d'énergie et un bus CC à diode de redressement qui convertit la tension d'une ligne de CA en tension continue. Les systèmes de véhicules aériens sans pilote (UAV) à propulsion thermique/hybrides militaires fournissent des diodes TVS, des fusibles et des MOSFET pour des commutateurs à semiconducteurs, pour la protection contre les surtensions et pour le redressement électrique. Ces systèmes proposent des produits de qualité AEC-Q/MIL pour diverses fonctions. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire, la surveillance des frontières, l'agriculture, la livraison/logistique, l'inspection et la sécurité publique.

MOSFET SiC à canal N LSIC1MO170E0750

Le LSIC1MO170E0750 d'IXYS est un MOSFET au carbure de silicium (SiC) à canal N de 750 mΩ optimisé pour les applications à haute fréquence et haut rendement. La faible résistance de grille et la résistance à l'état passant ultra-faible la rendent adaptée aux applications de commutation à haute fréquence. Ce composant dispose d'une charge de grille et d'une capacité de sortie extrêmement faibles, ainsi que d'opérations normally-off à toutes les températures. Le LSIC1MO170E0750 d'IXYS convient à une variété d'applications qui utilisent une commutation haute fréquence, telles que les alimentations à découpage, les onduleurs solaires, les systèmes ASI, les convertisseurs CC-CC haute tension et bien plus encore.

SiC MOSFET

Les SiC MOSFET de Littelfuse sont optimisés pour les applications haute fréquence et haut rendement. Ces SiC MOSFET robustes sont disponibles en boîtier TO-247-3L et offrent une résistance très faible à l'état passant. Littelfuse offre des SiC MOSFET conçus, développés et fabriqués avec une charge de grille et une capacité de sortie extrêmement faibles, des performances et une robustesse exceptionnelles à toutes les températures et une résistance très faible à l'état passant. Disponibles dès maintenant de 1200 V, dans les versions 80, 120 et 160 mOhm.