Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

T0710TC33A

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-T0710TC33A

N° de fab. :

T0710TC33A

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs

Fiche technique:

T0710TC33A Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Indisponible

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Prix (EUR)

Demander un devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
Série:	Capsule Type
Marque:	IXYS
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	6
Sous-catégorie:	IGBTs

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

T0710TC33A Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095

PRODUITS PRÉSENTÉS

IXYS

Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

IGBT à tranchée XPT™ GenX5™

IGBT à tranchée de 5e génération avec des zones de fonctionnement sécurisées à polarisation inversée carrées et une tension de claquage de 650 V.

IGBT haute tension IXGA20N250HV

RBSOA carrée, capacité court-circuit 10 µs, caractéristiques 2500 V V_CES, 12 A I_C110, et 3,1 V V_CE(sat).

IGBT BiMOSFET™ à conduite inversée IXBx14N300HV

Composants de 3000 V, 14 A combinant les forces des MOSFET et des IGBT.

IGBT à tranchée IXYx110N120A4 1 200 V XPT™ GenX4™

Offrent une V_sat ultra-faible conçue pour commuter jusqu'à 5 kHz.