BSC018N04LSGXT

Infineon Technologies
726-BSC018N04LSGXT
BSC018N04LSGXT

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
52 Semaines Délai de production estimé en usine.
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Minimum : 5000   Multiples : 5000
Prix unitaire:
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Tarif est.:
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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
1,72 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 90 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 7.4 ns
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 55 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Raccourcis pour l'article N°: BSC018N04LS G SP000388293 BSC018N04LSGATMA1
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Malaisie
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.