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BSL307SPH6327XTSA1

Name: Infineon BSL307SPH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSL307SPH6327XTS
Price: 0.89 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSL307SPH6327XTS

N° de fab. :

BSL307SPH6327XTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

Fiche technique:

BSL307SPH6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,894 €	0,89 €
	0,558 €	5,58 €
	0,364 €	36,40 €
	0,28 €	140,00 €
	0,254 €	254,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,218 €	654,00 €
	0,201 €	1 206,00 €
	0,19 €	1 710,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BSL307SP H6327

Conditionnement:

Reel, Cut Tape

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,93 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	5.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	23.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	29 ns
Transconductance directe - min.:	4.7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	36.4 ns
Délai d'activation standard:	7.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSL307SP H6327 SP001100660
Poids de l''unité:	20 mg

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Fiche technique

BSL307SPH6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 30V P-Channel (Compresser)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à faible signal Infineon sont disponibles dans 7 types de boîtiers standard allant du plus large, le SOT-223, au plus petit, le SOT-363 qui mesure 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Ils sont disponibles en configuration simple, double ou complémentaire. Ils sont disponibles en version à canal N, à canal P ou complémentaire (canal P et canal N dans le même boîtier) pour répondre aux différents besoins de conception. Les applications habituelles de ces dispositifs comprennent la protection des batteries, l'éclairage à LED, les pilotes à faible tension et les convertisseurs CC/CC. Tous les MOSFET de puissance à signal faible sont qualifiés Automotive AEC Q101.
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