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IGB110S101XTMA1

Name: Infineon IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB110S101XTMA1
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IGB110S101XTMA1

N° de fab. :

IGB110S101XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN MV GAN DISCRETES

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IGB110S101XTMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,07 €	2,07 €
	1,28 €	12,80 €
	0,894 €	89,40 €
	0,722 €	361,00 €
	0,651 €	651,00 €
	0,641 €	1 602,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,56 €	2 800,00 €
	0,553 €	5 530,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-VSON-4
Polarité du transistor:	HEMT
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	23 A
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.9 V
Qg - Charge de grille:	3.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	15 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolGaN
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	MY
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Série:	100V G3
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	CoolGaN Transistor
Raccourcis pour l'article N°:	IGB110S101 SP005751574