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IGLT65R035D2ATMA1

Name: Infineon IGLT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLT65R035D2ATMA
Price: 9.13 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IGLT65R035D2ATMA

N° de fab. :

IGLT65R035D2ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN HV GAN DISCRETES

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IGLT65R035D2ATMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,13 €	9,13 €
	6,33 €	63,30 €
	4,85 €	485,00 €
	4,12 €	4 120,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)
	4,12 €	7 416,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	HEMT
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Rds On - Résistance drain-source:	42 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.6 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Alimentation en sortie:	152 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	GaN Transistor

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Fiche technique

IGLT65R035D2ATMA1 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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