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IMBG120R045M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R045M1HXT
Price: 11.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMBG120R045M1HXT

N° de fab. :

IMBG120R045M1HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Fiche technique:

IMBG120R045M1HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	11,06 €	11,06 €
	7,74 €	77,40 €
	6,73 €	673,00 €
	6,56 €	3 280,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	6,13 €	6 130,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	47 A
Rds On - Résistance drain-source:	45 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.1 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	227 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	CoolSiC 1200V
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Raccourcis pour l'article N°:	IMBG120R045M1H SP005349829

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™

Les MOSFET CoolSiC™ d'Infineon s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité en fonctionnement. La gamme de CoolSiC discret en boîtiers TO et CMS est disponible en classes de tensions de 650 V, 1 200 V et 1 700 V, avec une résistance en marche nominale de 27 mΩ à 1 000 mΩ. La technologie de tranchée CoolSiC permet un ensemble de paramètres flexible, qui est utilisé pour la mise en œuvre de caractéristiques spécifiques aux applications dans les portefeuilles de produits respectifs. Ces caractéristiques comprennent des tensions grille-source, des spécifications d’avalanche, une capacité de court-circuit ou une diode de corps interne nominale pour commutation dure.

MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1200 V

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 200 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d’utilisation du composant. Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC 1 200 V s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d’application les plus faibles et la plus haute fiabilité de fonctionnement. Adaptés aux opérations à haute température et en environnement difficile, ces composants permettent le déploiement simplifié et économique du plus haut rendement du système.