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MOSFET CoolSiC ™ 1 200 V en carbure de silicium G2

Les MOSFET en carbure de silicium 1 200 V CoolSiC™ G2 d’Infineon Technologies offrent des solutions hautes performances pour les applications d’électronique de puissance. Ces MOSFET démontrent d’excellentes caractéristiques électriques et présentent de très faibles pertes de commutation permettant une exploitation efficace. Les MOSFET 1 200 V G2 sont conçus pour les conditions de surcharge, prenant en charge l’exploitation jusqu’à 200 °C et peuvent supporter des court-circuits jusqu’à 2 µs. Ces dispositifs disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,2 V V_GS(th) et garantissent un contrôle précis. Le MOSFET CoolSiC 1 200 V G2 est disponible en trois boîtiers qui s’appuient sur les atouts de la technologie Generation 1 pour fournir des solutions avancées pour des systèmes plus optimisés en termes de coûts, efficaces, compacts, faciles à concevoir et fiables. La Generation 2 améliore considérablement les indicateurs clés de mérite pour les topologies à commutation dure/douce, idéales pour toutes les combinaisons courantes d’étages CC-CC, CA-CC et CC-CA.