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IMLT65R026M2HXTMA1

Name: Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMLT65R026M2HXTM
Price: 9.78 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IMLT65R026M2HXTM

N° de fab. :

IMLT65R026M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IMLT65R026M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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	5,51 €	551,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	82 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	365 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.1 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	10.1 ns
Série:	650V G2
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	9.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMLT65R026M2H SP005969467

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2

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