IMYR140R024M2HXLSA1

Infineon Technologies
726-IMYR140R024M2HXL
IMYR140R024M2HXLSA1

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC DISCRETE

Cycle de vie:
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Infineon
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
CoolSiC
Marque: Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IMYR140R024M2H SP005962806
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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Mexique
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™

Les MOSFET G2 CoolSiC™ 1 400 V en carbure de silicium (SiC) d’Infineon Technologies sont proposés dans un boîtier à refusion TO-247PLUS-4. Ces Infineon MOSFET sont idéaux pour les applications à puissance de sortie élevée telles que la recharge des véhicules électriques (VE), les systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS), les véhicules commerciaux/de chantier/agricoles (CAV), etc. La technologie CoolSiC™ MOSFET G2 1 400 V est une technologie de pointe offrant des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée. Le boîtier comporte une capacité de refusion (3 soudures par refusion possibles), permettant une résistance thermique plus faible.