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IMZA65R033M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R033M2HXKS
Price: 10.02 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-IMZA65R033M2HXKS

N° de fab. :

IMZA65R033M2HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IMZA65R033M2HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	53 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	194 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.8 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	9.1 ns
Série:	650V G2
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	8.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMZA65R033M2H SP006051140

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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