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IMZA65R050M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R050M2HXKS
Price: 7.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMZA65R050M2HXKS

N° de fab. :

IMZA65R050M2HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Fiche technique:

IMZA65R050M2HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,21 €	7,21 €
	4,55 €	45,50 €
	3,84 €	384,00 €
	3,63 €	1 742,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	62 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	153 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	4.4 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	7.6 ns
Série:	650V G2
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	13.5 ns
Délai d'activation standard:	8.1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMZA65R050M2H