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IPDQ60R037CM8XTMA1

Name: Infineon IPDQ60R037CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDQ60R037CM8XTM
Price: 7.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPDQ60R037CM8XTM

N° de fab. :

IPDQ60R037CM8XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPDQ60R037CM8XTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,03 €	7,03 €
	4,97 €	49,70 €
	3,68 €	368,00 €
	3,38 €	1 690,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 750)
	3,38 €	2 535,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HDSOP-22
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	65 A
Rds On - Résistance drain-source:	37 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.7 V
Qg - Charge de grille:	79 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	338 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.8 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	7.6 ns
Série:	600V CM8
Nombre de pièces de l'usine:	750
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	101.6 ns
Délai d'activation standard:	20.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPDQ60R037CM8 SP005578047

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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