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IPP030N10NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP030N10NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP030N10NF2SAKM
Price: 2.51 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPP030N10NF2SAKM

N° de fab. :

IPP030N10NF2SAKMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IPP030N10NF2SAKMA1 Fiche technique (PDF)

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	1,24 €	12,40 €
	1,12 €	112,00 €
	0,903 €	451,50 €
	0,792 €	792,00 €
	0,79 €	1 580,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PG-TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	179 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	85 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	StrongIRFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	85 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	StrongIRFET 2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1-N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPP030N10NF2S SP006048538