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IPP050N10NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP050N10NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP050N10NF2SAKM
Price: 2.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPP050N10NF2SAKM

N° de fab. :

IPP050N10NF2SAKMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >80 - 100V

Fiche technique:

IPP050N10NF2SAKMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,55 €	2,55 €
	1,27 €	12,70 €
	1,14 €	114,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,837 €	837,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPP050N10NF2S SP005548848

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Fiche technique

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET à usage général

Les MOSFET à usage général d'Infineon Technologies offrent des solutions simples et à prix compétitif pour une gamme étendue de produits et une qualité reconnue. Cette famille de composants couvre les classes de tension jusqu'à 100 V. Elle comprend des MOSFET à canal N simples et doubles ainsi que des produits pour un traitement de puissance plus petit (MOSFET à canal N et P simple et double). Les composants sélectionnés sont disponibles dans de nombreux boîtiers, notamment SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6 et TO220.Ces produits conviennent à une large gamme d'applications universelles telles que les adaptateurs, les chargeurs, les applications alimentées par batterie, les commandes et entraînements de moteur, les systèmes de gestion de batterie, les onduleurs, et les applications informatiques et mobiles.

MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2

Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N et niveau normal, 100 % testés en mode avalanche. Les MOSFET StrongIRFET 2 Infineon sont optimisés pour un large éventail d’applications. Les MOSFET offrent une plage de 80 V à 100 V V_DS et un R_DS(on) de 2,4 mΩ à 8,2 mΩ.