IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies
726-IPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 735

Stock:
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Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,03 € 6,03 €
4,05 € 40,50 €
2,94 € 294,00 €
2,78 € 1 390,00 €
2,59 € 2 590,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
2,59 € 5 180,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
167 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 3.5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 5 ns
Série: CoolMOS C7 Gold
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 61 ns
Délai d'activation standard: 19 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPT60R080G7 SP001615904
Poids de l''unité: 771,020 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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