IPW60R041P6

Infineon Technologies
726-IPW60R041P6
IPW60R041P6

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

Modèle de ECAO:
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En stock: 13

Stock:
13
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
480
02/07/2026 attendu
Délai usine :
14
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,41 € 9,41 €
6,65 € 66,50 €
5,54 € 554,00 €
4,93 € 2 366,40 €
4,64 € 5 568,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tube
Disponibilité:
En stock
Prix:
9,52 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
77.5 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
170 nC
- 55 C
+ 150 C
481 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 27 ns
Série: CoolMOS P6
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 90 ns
Délai d'activation standard: 29 ns
Raccourcis pour l'article N°: SP001091630 IPW60R041P6FKSA1
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Allemagne
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.