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IPW65R099CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPW65R099CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R099CFD7AXK
Price: 6.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPW65R099CFD7AXK

N° de fab. :

IPW65R099CFD7AXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Fiche technique:

IPW65R099CFD7AXKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,31 €	6,31 €
	3,62 €	36,20 €
	3,03 €	303,00 €
	2,76 €	1 324,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	99 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	53 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	127 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Série:	CoolMOS CFD7A
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPW65R099CFD7A SP005324286

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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS™ 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS 650 V™ d'Infineon répondent aux applications de véhicules électriques telles que les chargeurs embarqués, les convertisseurs CC-CC HT-LV et les alimentations auxiliaires. Grâce à la résistance améliorée aux radiations cosmiques, les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS permettent d’appliquer des tensions de batterie plus élevées à un taux de fiabilité égal à celui des générations précédentes et à d’autres offres du marché. Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS assurent des niveaux de haut rendement dans les topologies de commutation dure et résonnante, en particulier dans des conditions de faible charge. Des fréquences de commutation plus élevées à des niveaux de perte de grille comparables à ceux des anciennes générations peuvent être atteintes. La réduction du poids du système et de l'encombrement permettent des conceptions plus compactes.