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IRF6665

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N° Mouser :

942-IRF6665

N° de fab. :

IRF6665

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRF6665 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DirectFET-SH
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	4.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	62 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.3 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	4800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	7.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP001554114
Poids de l''unité:	500 mg

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Fiche technique

IRF6665 Fiche technique (PDF)

EOL

End of Life Notification (PDF)

Product Catalogs

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Mexique
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)].

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.