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IRF7313PBF

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N° Mouser :

942-IRF7313PBF

N° de fab. :

IRF7313PBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRF7313PBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	6.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	46 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Dual
Temps de descente:	17 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	8.1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP001566122
Poids de l''unité:	540 mg