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ISC024N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC024N08NM7ATMA
Price: 2.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC024N08NM7ATMA

N° de fab. :

ISC024N08NM7ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC024N08NM7ATMA1 Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,01 €	5 050,00 €

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	167 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.2 V
Qg - Charge de grille:	49 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	130 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20.4 ns
Délai d'activation standard:	10.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC024N08NM7 SP006183896

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Fiche technique

ISC024N08NM7ATMA1 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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