Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

ISC030N10NM6ATMA1

Name: Infineon ISC030N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC030N10NM6ATMA
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-ISC030N10NM6ATMA

N° de fab. :

ISC030N10NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >80 - 100V

Fiche technique:

ISC030N10NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies ISC030N10NM6ATMA1

En stock: 92

Stock:: 92

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 10 000
Délai usine :: 52

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,78 €	3,78 €
	2,43 €	24,30 €
	1,76 €	176,00 €
	1,49 €	745,00 €
	1,44 €	1 440,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,35 €	6 750,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	179 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.3 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	208 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Série:	ISC030N10
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	ISC030N10NM6 SP005427072

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

ISC030N10NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de R_DS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.

MOSFET de puissance 100 V OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance 100V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies sont proposés dans des boîtiers SuperSO8 et PQFN 3,3 x 3,3, tout en étant optimisés pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications et l'énergie solaire, où les pertes sont associées aux charges (commutation) et à la résistance à l'état passant (conduction). De plus, en raison du meilleur R_DS(on) de sa catégorie et d'une zone de fonctionnement sécurisée plus large (SOA), le composant est également idéal pour les applications alimentées par batterie (BPA) et les systèmes de gestion de batterie (BMS).