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CGH31240F

Name: MACOM CGH31240F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH31240F
Price: 809.36 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-CGH31240F

N° de fab. :

CGH31240F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V

Fiche technique:

CGH31240F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440201
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	345 W
Marque:	MACOM
Gain:	12 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.1 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.7 GHz
Alimentation en sortie:	240 W
Conditionnement:	Tray
Produit:	GaN HEMTs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Type:	GaN SiC HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V
Poids de l''unité:	32,095 g