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CGH60030D-GP4

Name: MACOM CGH60030D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH60030D
Price: 116.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGH60030D

N° de fab. :

CGH60030D-GP4

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt

Fiche technique:

CGH60030D-GP4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	116,38 €	1 163,80 €
	101,85 €	10 185,00 €
500	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	500 mOhms
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Marque:	MACOM
Configuration:	Dual
Gain:	15 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	4 GHz
Alimentation en sortie:	30 W
Conditionnement:	Waffle
Produit:	GaN HEMTs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V
Poids de l''unité:	7,326 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

Filtrer les documents:

Fiche technique

CGH60030D-GP4 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

HEMT au GaN

Les HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) au GaN (nitrure de gallium) Cree offrent une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée.
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