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CGHV60075D5-GP4

Name: MACOM CGHV60075D5-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV60075D
Price: 155.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGHV60075D

N° de fab. :

CGHV60075D5-GP4

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

Fiche technique:

CGHV60075D5-GP4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 10 V, 2 V
Pd - Dissipation d’énergie :	41.6 W
Marque:	MACOM
Gain:	17 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Alimentation en sortie:	75 W
Conditionnement:	Gel Pack
Produit:	GaN HEMTs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	150 V

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Cree RF Products

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5-0614-38

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Fiche technique

CGHV60075D5-GP4 Fiche technique (PDF)

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8541290040
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

HEMT GaN 6 GHz CGHV600

Les transistors à haute mobilité d’électron (HEMT, High Electron Mobility Transistors) au nitrure de gallium (GaN) 6 GHz CGHV600 Cree fournissent des performances supérieures à celles des transistors au silicium (Si) ou à l’arséniure de gallium (GaAs). Les HEMT au GaN CGHV600 offrent une tension de rupture plus haute, une vitesse de dérive d'électron saturé plus élevée et une conduction thermique supérieure. Ces transistors offrent aussi une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges. Les dispositifs de la série CGHV600 sont idéaux dans une variété d'applications, notamment l'infrastructure du réseau mobile et les amplificateurs de classe A, AB et linéaires.
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