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GTVA126001EC-V1-R0

Name: MACOM GTVA126001EC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA126001ECV1R0
Price: 968.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-GTVA126001ECV1R0

N° de fab. :

GTVA126001EC-V1-R0

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

Fiche technique:

GTVA126001EC-V1-R0 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	968,82 €	968,82 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)
	968,82 €	48 441,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	H-36248-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Marque:	MACOM
Gain:	18 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	1.4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.2 GHz
Alimentation en sortie:	600 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V

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Fiche technique

GTVA126001EC-V1-R0 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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Codes de conformité

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC

Les GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC de Wolfspeed / Cree sont des transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) 50 V basés sur la technologie au nitrure de gallium sur carbure de silicium. Les dispositifs au GaN sur SiC offrent une haute densité de puissance associée à une tension de claquage élevée, permettant d'avoir des amplificateurs de puissance très efficaces. Les GaN RF haute puissance GTVA sur HEMT SiC disposent de correspondance d'entrée, d'une haute efficacité, et de boîtiers thermiquement endurcis. Ces dispositifs à impulsion/OC (onde continue) ont une largeur d'impulsion de 128 µ et un cycle de service de 10 %.